Le segment de l'électronique de puissance exige des composants capables de supporter des contraintes électriques extrêmes. Le type de produit diode thyristor module 2MBI150NE-120 s'inscrit comme la référence idéale pour la commutation de fortes charges, associant la rapidité de la diode à la robustesse de contrôle du thyristor.
Ce boîtier moulé sous vide protège les puces de silicium contre l'humidité, la poussière industrielle et les variations thermiques quotidiennes. Sa compacité permet un agencement dense au sein des modules de commande, optimisant l'espace dans vos boîtiers de contrôle ou vos générateurs de puissance.
Voici les données fondamentales pour l'intégration de ce module dans vos conceptions de circuits imprimés de puissance :
| Référence | 2MBI150NE-120 |
| Structure Interne | Série Diode - Thyristor / Double IGBT |
| Courant nominal | 150A à température contrôlée |
| Tension inverse maximale | 1200V de crête |
| Matériau du boîtier | Résine isolante haute performance |
La vérification de votre environnement a échoué. Connectez-vous pour consulter les avis.
